TK9J90E,S1E

სურათი არის მითითებისთვის, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ რეალური სურათის მისაღებად

მწარმოებელი ნაწილი	TK9J90E,S1E
მწარმოებელი	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
აღწერა	MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
კატეგორია	დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
ოჯახი	ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი
Ცხოვრების ციკლი:	New from this manufacturer.
მიწოდება:	DHL FedEx Ups TNT EMS
გადახდა	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Მონაცემთა ფურცელი	TK9J90E,S1E PDF

ხელმისაწვდომობა

Საწყობში	554
Ერთეულის ფასი	$ 3.31000

TK9J90E,S1E Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

TK9J90E,S1E სპეციფიკაციები

ტიპი	აღწერა
სერია:	-
პაკეტი:	Tube
ნაწილის სტატუსი:	Active
ფეხის ტიპი:	N-Channel
ტექნოლოგია:	MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss):	900 V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c:	9A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.3Ohm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 900µA
კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs:	46 nC @ 10 V
vgs (მაქს.):	±30V
შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds:	2000 pF @ 25 V
ფეხის ფუნქცია:	-
დენის გაფრქვევა (მაქს.):	250W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა:	150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი:	Through Hole
მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი:	TO-3P(N)
პაკეტი / ქეისი:	TO-3P-3, SC-65-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.