TP65H300G4LSG

სურათი არის მითითებისთვის, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ რეალური სურათის მისაღებად

მწარმოებელი ნაწილი	TP65H300G4LSG
მწარმოებელი	Transphorm
აღწერა	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
კატეგორია	დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
ოჯახი	ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი
Ცხოვრების ციკლი:	New from this manufacturer.
მიწოდება:	DHL FedEx Ups TNT EMS
გადახდა	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Მონაცემთა ფურცელი	TP65H300G4LSG PDF

ხელმისაწვდომობა

Საწყობში	240
Ერთეულის ფასი	$ 4.02000

TP65H300G4LSG Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

TP65H300G4LSG სპეციფიკაციები

ტიპი	აღწერა
სერია:	-
პაკეტი:	Tray
ნაწილის სტატუსი:	Active
ფეხის ტიპი:	N-Channel
ტექნოლოგია:	GaNFET (Gallium Nitride)
გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss):	650 V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c:	6.5A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული):	8V
rds on (max) @ id, vgs:	312mOhm @ 5A, 8V
vgs(th) (max) @ id:	2.6V @ 500µA
კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs:	9.6 nC @ 8 V
vgs (მაქს.):	±18V
შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds:	760 pF @ 400 V
ფეხის ფუნქცია:	-
დენის გაფრქვევა (მაქს.):	21W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა:	-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი:	Surface Mount
მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი:	3-PQFN (8x8)
პაკეტი / ქეისი:	3-PowerDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.