TP65H070LDG

სურათი არის მითითებისთვის, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ რეალური სურათის მისაღებად

მწარმოებელი ნაწილი	TP65H070LDG
მწარმოებელი	Transphorm
აღწერა	GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
კატეგორია	დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
ოჯახი	ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი
Ცხოვრების ციკლი:	New from this manufacturer.
მიწოდება:	DHL FedEx Ups TNT EMS
გადახდა	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

ხელმისაწვდომობა

Საწყობში	673
Ერთეულის ფასი	$ 12.98000

TP65H070LDG Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

TP65H070LDG სპეციფიკაციები

ტიპი	აღწერა
სერია:	TP65H070L
პაკეტი:	Tube
ნაწილის სტატუსი:	Active
ფეხის ტიპი:	N-Channel
ტექნოლოგია:	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss):	650 V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c:	25A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	85mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.8V @ 700µA
კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs:	9.3 nC @ 10 V
vgs (მაქს.):	±20V
შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds:	600 pF @ 400 V
ფეხის ფუნქცია:	-
დენის გაფრქვევა (მაქს.):	96W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა:	-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი:	Surface Mount
მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი:	3-PQFN (8x8)
პაკეტი / ქეისი:	3-PowerDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.