IRLD110PBF

სურათი არის მითითებისთვის, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ რეალური სურათის მისაღებად

მწარმოებელი ნაწილი	IRLD110PBF
მწარმოებელი	Vishay / Siliconix
აღწერა	MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
კატეგორია	დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
ოჯახი	ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი
Ცხოვრების ციკლი:	New from this manufacturer.
მიწოდება:	DHL FedEx Ups TNT EMS
გადახდა	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Მონაცემთა ფურცელი	IRLD110PBF PDF

ხელმისაწვდომობა

Საწყობში	5.256
Ერთეულის ფასი	$ 1.06000

IRLD110PBF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IRLD110PBF სპეციფიკაციები

ტიპი	აღწერა
სერია:	-
პაკეტი:	Tube
ნაწილის სტატუსი:	Active
ფეხის ტიპი:	N-Channel
ტექნოლოგია:	MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss):	100 V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c:	1A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული):	4V, 5V
rds on (max) @ id, vgs:	540mOhm @ 600mA, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs:	6.1 nC @ 5 V
vgs (მაქს.):	±10V
შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds:	250 pF @ 25 V
ფეხის ფუნქცია:	-
დენის გაფრქვევა (მაქს.):	1.3W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა:	-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი:	Through Hole
მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი:	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
პაკეტი / ქეისი:	4-DIP (0.300", 7.62mm)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.