IRFHM8337TRPBF

სურათი არის მითითებისთვის, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ რეალური სურათის მისაღებად

მწარმოებელი ნაწილი	IRFHM8337TRPBF
მწარმოებელი	Rochester Electronics
აღწერა	IRFHM8337 - HEXFET POWER MOSFET
კატეგორია	დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
ოჯახი	ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი
Ცხოვრების ციკლი:	New from this manufacturer.
მიწოდება:	DHL FedEx Ups TNT EMS
გადახდა	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Მონაცემთა ფურცელი	IRFHM8337TRPBF PDF

ხელმისაწვდომობა

Საწყობში	467.753
Ერთეულის ფასი	$ 0.16000

IRFHM8337TRPBF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IRFHM8337TRPBF სპეციფიკაციები

ტიპი	აღწერა
სერია:	HEXFET®
პაკეტი:	Bulk
ნაწილის სტატუსი:	Active
ფეხის ტიპი:	N-Channel
ტექნოლოგია:	MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss):	30 V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c:	12A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	12.4mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.35V @ 25µA
კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs:	8.1 nC @ 4.5 V
vgs (მაქს.):	±20V
შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds:	755 pF @ 15 V
ფეხის ფუნქცია:	-
დენის გაფრქვევა (მაქს.):	2.8W (Ta), 25W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა:	-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი:	Surface Mount
მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი:	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
პაკეტი / ქეისი:	8-PowerTDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.