RS1E260ATTB1

სურათი არის მითითებისთვის, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ რეალური სურათის მისაღებად

მწარმოებელი ნაწილი	RS1E260ATTB1
მწარმოებელი	ROHM Semiconductor
აღწერა	MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
კატეგორია	დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
ოჯახი	ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი
Ცხოვრების ციკლი:	New from this manufacturer.
მიწოდება:	DHL FedEx Ups TNT EMS
გადახდა	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

ხელმისაწვდომობა

Საწყობში	2.061
Ერთეულის ფასი	$ 3.00000

RS1E260ATTB1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

RS1E260ATTB1 სპეციფიკაციები

ტიპი	აღწერა
სერია:	-
პაკეტი:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
ნაწილის სტატუსი:	Active
ფეხის ტიპი:	P-Channel
ტექნოლოგია:	MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss):	30 V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c:	26A (Ta), 80A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	3.1mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs:	175 nC @ 10 V
vgs (მაქს.):	±20V
შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds:	7850 pF @ 15 V
ფეხის ფუნქცია:	-
დენის გაფრქვევა (მაქს.):	3W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა:	150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი:	Surface Mount
მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი:	8-HSOP
პაკეტი / ქეისი:	8-PowerTDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.