IRF40H210

სურათი არის მითითებისთვის, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ რეალური სურათის მისაღებად

მწარმოებელი ნაწილი	IRF40H210
მწარმოებელი	Rochester Electronics
აღწერა	MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
კატეგორია	დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
ოჯახი	ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი
Ცხოვრების ციკლი:	New from this manufacturer.
მიწოდება:	DHL FedEx Ups TNT EMS
გადახდა	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Მონაცემთა ფურცელი	IRF40H210 PDF

ხელმისაწვდომობა

Საწყობში	7.883
Ერთეულის ფასი	$ 0.56000

IRF40H210 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IRF40H210 სპეციფიკაციები

ტიპი	აღწერა
სერია:	HEXFET®, StrongIRFET™
პაკეტი:	Bulk
ნაწილის სტატუსი:	Active
ფეხის ტიპი:	N-Channel
ტექნოლოგია:	MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss):	40 V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c:	100A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული):	6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.7V @ 150µA
კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs:	152 nC @ 10 V
vgs (მაქს.):	±20V
შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds:	5.406 pF @ 25 V
ფეხის ფუნქცია:	-
დენის გაფრქვევა (მაქს.):	125W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა:	-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი:	Surface Mount
მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი:	8-PQFN (5x6)
პაკეტი / ქეისი:	8-PowerVDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.