SCTWA50N120

სურათი არის მითითებისთვის, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ რეალური სურათის მისაღებად

მწარმოებელი ნაწილი	SCTWA50N120
მწარმოებელი	STMicroelectronics
აღწერა	SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
კატეგორია	დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
ოჯახი	ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი
Ცხოვრების ციკლი:	New from this manufacturer.
მიწოდება:	DHL FedEx Ups TNT EMS
გადახდა	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Მონაცემთა ფურცელი	SCTWA50N120 PDF

ხელმისაწვდომობა

Საწყობში	1.240
Ერთეულის ფასი	$ 29.63000

SCTWA50N120 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SCTWA50N120 სპეციფიკაციები

ტიპი	აღწერა
სერია:	-
პაკეტი:	Tube
ნაწილის სტატუსი:	Active
ფეხის ტიპი:	N-Channel
ტექნოლოგია:	SiCFET (Silicon Carbide)
გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss):	1200 V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c:	65A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული):	20V
rds on (max) @ id, vgs:	69mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs:	122 nC @ 20 V
vgs (მაქს.):	+25V, -10V
შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds:	1900 pF @ 400 V
ფეხის ფუნქცია:	-
დენის გაფრქვევა (მაქს.):	318W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა:	-55°C ~ 200°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი:	Through Hole
მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი:	HiP247™
პაკეტი / ქეისი:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.