SIZ256DT-T1-GE3

სურათი არის მითითებისთვის, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ რეალური სურათის მისაღებად

მწარმოებელი ნაწილი	SIZ256DT-T1-GE3
მწარმოებელი	Vishay / Siliconix
აღწერა	DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
კატეგორია	დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
ოჯახი	ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - მასივები
Ცხოვრების ციკლი:	New from this manufacturer.
მიწოდება:	DHL FedEx Ups TNT EMS
გადახდა	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Მონაცემთა ფურცელი	SIZ256DT-T1-GE3 PDF

ხელმისაწვდომობა

Საწყობში	112.150
Ერთეულის ფასი	$ 1.37000

SIZ256DT-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SIZ256DT-T1-GE3 სპეციფიკაციები

ტიპი	აღწერა
სერია:	TrenchFET® Gen IV
პაკეტი:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
ნაწილის სტატუსი:	Active
ფეხის ტიპი:	2 N-Channel (Dual)
ფეხის ფუნქცია:	Standard
გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss):	70V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c:	11.5A (Ta), 31.8A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:	17.6mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs:	27nC @ 10V
შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds:	1060pF @ 35V
სიმძლავრე - მაქს:	4.3W (Ta), 33W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა:	-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი:	Surface Mount
პაკეტი / ქეისი:	8-PowerWDFN
მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი:	8-PowerPair® (3.3x3.3)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.