HGTD1N120BNS9A

სურათი არის მითითებისთვის, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ რეალური სურათის მისაღებად

მწარმოებელი ნაწილი	HGTD1N120BNS9A
მწარმოებელი	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
აღწერა	IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
კატეგორია	დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
ოჯახი	ტრანზისტორები - igbts - ერთჯერადი
Ცხოვრების ციკლი:	New from this manufacturer.
მიწოდება:	DHL FedEx Ups TNT EMS
გადახდა	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Მონაცემთა ფურცელი	HGTD1N120BNS9A PDF

ხელმისაწვდომობა

Საწყობში	7.588
Ერთეულის ფასი	$ 1.51000

HGTD1N120BNS9A Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

HGTD1N120BNS9A სპეციფიკაციები

ტიპი	აღწერა
სერია:	-
პაკეტი:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
ნაწილის სტატუსი:	Active
igbt ტიპის:	NPT
ძაბვა - კოლექტორის ემიტერის ავარია (მაქს):	1200 V
დენი - კოლექტორი (ic) (მაქს):	5.3 A
მიმდინარე - პულსირებული კოლექტორი (ICM):	6 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.9V @ 15V, 1A
სიმძლავრე - მაქს:	60 W
გადართვის ენერგია:	70µJ (on), 90µJ (off)
შეყვანის ტიპი:	Standard
კარიბჭის მუხტი:	14 nC
td (ჩართვა/გამორთვა) @ 25°c:	15ns/67ns
ტესტის მდგომარეობა:	960V, 1A, 82Ohm, 15V
საპირისპირო აღდგენის დრო (trr):	-
ოპერაციული ტემპერატურა:	-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი:	Surface Mount
პაკეტი / ქეისი:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი:	TO-252AA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.