SCTW90N65G2V

სურათი არის მითითებისთვის, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ რეალური სურათის მისაღებად

მწარმოებელი ნაწილი	SCTW90N65G2V
მწარმოებელი	STMicroelectronics
აღწერა	SICFET N-CH 650V 90A HIP247
კატეგორია	დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
ოჯახი	ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი
Ცხოვრების ციკლი:	New from this manufacturer.
მიწოდება:	DHL FedEx Ups TNT EMS
გადახდა	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Მონაცემთა ფურცელი	SCTW90N65G2V PDF

ხელმისაწვდომობა

Საწყობში	551
Ერთეულის ფასი	$ 27.71000

SCTW90N65G2V Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SCTW90N65G2V სპეციფიკაციები

ტიპი	აღწერა
სერია:	-
პაკეტი:	Tube
ნაწილის სტატუსი:	Active
ფეხის ტიპი:	N-Channel
ტექნოლოგია:	SiCFET (Silicon Carbide)
გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss):	650 V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c:	90A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული):	18V
rds on (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 50A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs:	157 nC @ 18 V
vgs (მაქს.):	+22V, -10V
შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds:	3300 pF @ 400 V
ფეხის ფუნქცია:	-
დენის გაფრქვევა (მაქს.):	390W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა:	-55°C ~ 200°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი:	Through Hole
მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი:	HiP247™
პაკეტი / ქეისი:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.