GA50JT12-247

სურათი არის მითითებისთვის, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ რეალური სურათის მისაღებად

მწარმოებელი ნაწილი	GA50JT12-247
მწარმოებელი	GeneSiC Semiconductor
აღწერა	TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
კატეგორია	დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
ოჯახი	ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი
Ცხოვრების ციკლი:	New from this manufacturer.
მიწოდება:	DHL FedEx Ups TNT EMS
გადახდა	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Მონაცემთა ფურცელი	GA50JT12-247 PDF

ხელმისაწვდომობა

Საწყობში	6
Ერთეულის ფასი	$ 99.01000

GA50JT12-247 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

GA50JT12-247 სპეციფიკაციები

ტიპი	აღწერა
სერია:	-
პაკეტი:	Tube
ნაწილის სტატუსი:	Obsolete
ფეხის ტიპი:	-
ტექნოლოგია:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss):	1200 V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c:	100A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული):	-
rds on (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 50A
vgs(th) (max) @ id:	-
კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs:	-
vgs (მაქს.):	-
შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds:	7209 pF @ 800 V
ფეხის ფუნქცია:	-
დენის გაფრქვევა (მაქს.):	583W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა:	175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი:	Through Hole
მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი:	TO-247AB
პაკეტი / ქეისი:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.