TPH3206LDGB

სურათი არის მითითებისთვის, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ რეალური სურათის მისაღებად

მწარმოებელი ნაწილი	TPH3206LDGB
მწარმოებელი	Transphorm
აღწერა	GANFET N-CH 650V 16A PQFN
კატეგორია	დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
ოჯახი	ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი
Ცხოვრების ციკლი:	New from this manufacturer.
მიწოდება:	DHL FedEx Ups TNT EMS
გადახდა	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Მონაცემთა ფურცელი	TPH3206LDGB PDF

ხელმისაწვდომობა

Საწყობში	207.707
Ერთეულის ფასი	$ 10.28000

TPH3206LDGB Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

TPH3206LDGB სპეციფიკაციები

ტიპი	აღწერა
სერია:	-
პაკეტი:	Tube
ნაწილის სტატუსი:	Obsolete
ფეხის ტიპი:	N-Channel
ტექნოლოგია:	GaNFET (Gallium Nitride)
გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss):	650 V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c:	16A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	180mOhm @ 11A, 8V
vgs(th) (max) @ id:	2.6V @ 500µA
კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs:	9.3 nC @ 4.5 V
vgs (მაქს.):	±18V
შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds:	760 pF @ 480 V
ფეხის ფუნქცია:	-
დენის გაფრქვევა (მაქს.):	81W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა:	-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი:	Surface Mount
მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი:	PQFN (8x8)
პაკეტი / ქეისი:	3-PowerDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.