IRFB31N20DPBF

სურათი არის მითითებისთვის, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ რეალური სურათის მისაღებად

მწარმოებელი ნაწილი	IRFB31N20DPBF
მწარმოებელი	Rochester Electronics
აღწერა	IRFB31N20 - N-CHANNEL POWER MOS
კატეგორია	დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
ოჯახი	ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი
Ცხოვრების ციკლი:	New from this manufacturer.
მიწოდება:	DHL FedEx Ups TNT EMS
გადახდა	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Მონაცემთა ფურცელი	IRFB31N20DPBF PDF

ხელმისაწვდომობა

Საწყობში	2.131
Ერთეულის ფასი	$ 0.92000

IRFB31N20DPBF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IRFB31N20DPBF სპეციფიკაციები

ტიპი	აღწერა
სერია:	HEXFET®
პაკეტი:	Bulk
ნაწილის სტატუსი:	Active
ფეხის ტიპი:	N-Channel
ტექნოლოგია:	MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss):	200 V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c:	31A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	82mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs:	107 nC @ 10 V
vgs (მაქს.):	±30V
შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds:	2.37 pF @ 25 V
ფეხის ფუნქცია:	-
დენის გაფრქვევა (მაქს.):	3.1W (Ta), 200W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა:	-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი:	Through Hole
მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი:	TO-220AB
პაკეტი / ქეისი:	TO-220-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.