G2R1000MT17J

სურათი არის მითითებისთვის, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ რეალური სურათის მისაღებად

მწარმოებელი ნაწილი	G2R1000MT17J
მწარმოებელი	GeneSiC Semiconductor
აღწერა	SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
კატეგორია	დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
ოჯახი	ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი
Ცხოვრების ციკლი:	New from this manufacturer.
მიწოდება:	DHL FedEx Ups TNT EMS
გადახდა	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Მონაცემთა ფურცელი	G2R1000MT17J PDF

ხელმისაწვდომობა

Საწყობში	6
Ერთეულის ფასი	$ 6.17000

G2R1000MT17J Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

G2R1000MT17J სპეციფიკაციები

ტიპი	აღწერა
სერია:	G2R™
პაკეტი:	Tube
ნაწილის სტატუსი:	Active
ფეხის ტიპი:	N-Channel
ტექნოლოგია:	SiCFET (Silicon Carbide)
გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss):	1700 V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c:	3A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული):	20V
rds on (max) @ id, vgs:	1.2Ohm @ 2A, 20V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 2mA
კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs:	-
vgs (მაქს.):	+20V, -10V
შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds:	139 pF @ 1000 V
ფეხის ფუნქცია:	-
დენის გაფრქვევა (მაქს.):	54W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა:	-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი:	Surface Mount
მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი:	TO-263-7
პაკეტი / ქეისი:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.