SCT3080ALGC11

სურათი არის მითითებისთვის, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ რეალური სურათის მისაღებად

მწარმოებელი ნაწილი	SCT3080ALGC11
მწარმოებელი	ROHM Semiconductor
აღწერა	SICFET N-CH 650V 30A TO247N
კატეგორია	დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
ოჯახი	ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი
Ცხოვრების ციკლი:	New from this manufacturer.
მიწოდება:	DHL FedEx Ups TNT EMS
გადახდა	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Მონაცემთა ფურცელი	SCT3080ALGC11 PDF

ხელმისაწვდომობა

Საწყობში	1.705
Ერთეულის ფასი	$ 10.86000

SCT3080ALGC11 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SCT3080ALGC11 სპეციფიკაციები

ტიპი	აღწერა
სერია:	-
პაკეტი:	Tube
ნაწილის სტატუსი:	Active
ფეხის ტიპი:	N-Channel
ტექნოლოგია:	SiCFET (Silicon Carbide)
გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss):	650 V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c:	30A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული):	18V
rds on (max) @ id, vgs:	104mOhm @ 10A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	5.6V @ 5mA
კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs:	48 nC @ 18 V
vgs (მაქს.):	+22V, -4V
შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds:	571 pF @ 500 V
ფეხის ფუნქცია:	-
დენის გაფრქვევა (მაქს.):	134W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა:	175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი:	Through Hole
მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი:	TO-247N
პაკეტი / ქეისი:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.