IRFB4110PBF

სურათი არის მითითებისთვის, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ რეალური სურათის მისაღებად

მწარმოებელი ნაწილი	IRFB4110PBF
მწარმოებელი	IR (Infineon Technologies)
აღწერა	MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
კატეგორია	დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
ოჯახი	ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი
Ცხოვრების ციკლი:	New from this manufacturer.
მიწოდება:	DHL FedEx Ups TNT EMS
გადახდა	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Მონაცემთა ფურცელი	IRFB4110PBF PDF

ხელმისაწვდომობა

Საწყობში	2.227
Ერთეულის ფასი	$ 3.11000

IRFB4110PBF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IRFB4110PBF სპეციფიკაციები

ტიპი	აღწერა
სერია:	HEXFET®
პაკეტი:	Tube
ნაწილის სტატუსი:	Active
ფეხის ტიპი:	N-Channel
ტექნოლოგია:	MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss):	100 V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c:	120A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	4.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs:	210 nC @ 10 V
vgs (მაქს.):	±20V
შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds:	9620 pF @ 50 V
ფეხის ფუნქცია:	-
დენის გაფრქვევა (მაქს.):	370W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა:	-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი:	Through Hole
მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი:	TO-220AB
პაკეტი / ქეისი:	TO-220-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.