IRFHE4250DTRPBF

სურათი არის მითითებისთვის, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ რეალური სურათის მისაღებად

მწარმოებელი ნაწილი	IRFHE4250DTRPBF
მწარმოებელი	Rochester Electronics
აღწერა	HEXFET POWER MOSFET
კატეგორია	დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
ოჯახი	ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - მასივები
Ცხოვრების ციკლი:	New from this manufacturer.
მიწოდება:	DHL FedEx Ups TNT EMS
გადახდა	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Მონაცემთა ფურცელი	IRFHE4250DTRPBF PDF

ხელმისაწვდომობა

Საწყობში	9.000
Ერთეულის ფასი	$ 1.79000

IRFHE4250DTRPBF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IRFHE4250DTRPBF სპეციფიკაციები

ტიპი	აღწერა
სერია:	HEXFET®
პაკეტი:	Bulk
ნაწილის სტატუსი:	Active
ფეხის ტიპი:	2 N-Channel (Dual)
ფეხის ფუნქცია:	Standard
გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss):	25V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c:	86A (Tc), 303A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:	2.75mOhm @ 27A, 10V, 900µOhm @ 27A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs:	20nC, 53nC @ 4.5V
შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds:	1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
სიმძლავრე - მაქს:	156W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა:	-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი:	Surface Mount
პაკეტი / ქეისი:	32-PowerVFQFN
მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი:	32-PQFN (6x6)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.