FF8MR12W2M1B11BOMA1

სურათი არის მითითებისთვის, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ რეალური სურათის მისაღებად

მწარმოებელი ნაწილი	FF8MR12W2M1B11BOMA1
მწარმოებელი	IR (Infineon Technologies)
აღწერა	MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
კატეგორია	დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
ოჯახი	ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - მასივები
Ცხოვრების ციკლი:	New from this manufacturer.
მიწოდება:	DHL FedEx Ups TNT EMS
გადახდა	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Მონაცემთა ფურცელი	FF8MR12W2M1B11BOMA1 PDF

ხელმისაწვდომობა

Საწყობში	45
Ერთეულის ფასი	$ 248.29000

FF8MR12W2M1B11BOMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

FF8MR12W2M1B11BOMA1 სპეციფიკაციები

ტიპი	აღწერა
სერია:	CoolSiC™+
პაკეტი:	Tray
ნაწილის სტატუსი:	Active
ფეხის ტიპი:	2 N-Channel (Dual)
ფეხის ფუნქცია:	Silicon Carbide (SiC)
გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss):	1200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c:	150A (Tj)
rds on (max) @ id, vgs:	7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
vgs(th) (max) @ id:	5.55V @ 60mA
კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs:	372nC @ 15V
შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds:	11000pF @ 800V
სიმძლავრე - მაქს:	20mW (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა:	-40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი:	Chassis Mount
პაკეტი / ქეისი:	Module
მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი:	AG-EASY2BM-2

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.