EFC6602R-TR

სურათი არის მითითებისთვის, გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ რეალური სურათის მისაღებად

მწარმოებელი ნაწილი	EFC6602R-TR
მწარმოებელი	Rochester Electronics
აღწერა	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
კატეგორია	დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
ოჯახი	ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - მასივები
Ცხოვრების ციკლი:	New from this manufacturer.
მიწოდება:	DHL FedEx Ups TNT EMS
გადახდა	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Მონაცემთა ფურცელი	EFC6602R-TR PDF

ხელმისაწვდომობა

Საწყობში	130.439
Ერთეულის ფასი	$ 0.23000

EFC6602R-TR Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

EFC6602R-TR სპეციფიკაციები

ტიპი	აღწერა
სერია:	-
პაკეტი:	Bulk
ნაწილის სტატუსი:	Active
ფეხის ტიპი:	2 N-Channel (Dual) Common Drain
ფეხის ფუნქცია:	Logic Level Gate, 2.5V Drive
გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss):	12V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c:	18A (Ta)
rds on (max) @ id, vgs:	5.9mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.3V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs:	55nC @ 4.5V
შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds:	-
სიმძლავრე - მაქს:	2W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა:	150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი:	Surface Mount
პაკეტი / ქეისი:	6-XFBGA, WLCSP
მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი:	6-WLCSP (1.81x2.7)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.